多相位升壓轉換器改善電源供應效能：架構

　　標準的單相位升壓轉換器以及交錯式（或雙相位）升壓轉AP Plasma換器的線路。在單相位設計中，閘極驅動電壓會加在FET Q電漿設備1，使得電晶體的汲極電壓，也就是電路的切換點（switching node），被下拉至地電位，此時輸入電壓會跨接在電感L1的兩端，導電漿鍍膜致電流開始上升；在這段期間內，早已充滿電力的輸出電容C2必須獨自供應負載所需之電流。等到Q1停止導通時，L1為了繼續維持電流流動，其兩端的電壓極性會立刻反轉，使得切換點的電壓高於輸入電壓，此時二極體D1進入順向偏壓狀態，輸入電源開始對輸出電容C2重新充電，並且供應負載所需的電流。

　　由於電感器的伏秒乘積在這兩種開關狀態下必須保持相等，也就是ton×Vin必須等於toff×Voff，因此電感的逆向電壓就成為FET導通時間，或是負載週期的函數；改變開關的負載週期就能控制輸出電壓的大小，其值可由Vout =Vin/（1-d）簡單公式計算。此公式只在連續導通模式（continuous conduction mode）中有效，而該模式的定義則是電感電流在所有時間都為正值。

　　在雙相位升壓電路中，每個相位的工作方式都很像前述的單相位升壓轉換器。這兩個轉換器會以反相180度的方式動作，使得輸入和輸出電容的漣波電流互相抵消；藉由這種方式，設計人員就能選擇性地減少零件數目，或者使用與單相位設計相同的零件數目，但是提高電路的工作效能。交錯式升壓電源供應器設計會強迫兩個功率級共同提供輸出電流，使得電源輸出由它們平均分擔；另一方面，如果工程師不採用這種設計，其中一個功率級的電流輸出就會遠大於另一個功率級，使得原有的漣波消除優點化為烏有。